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无线电电子学
介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响
GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情况,研究了钝化技术对GaN HEMT电流特性的影响,包括介质膜应力、折射率和表面预处理与器件饱和电流、电流崩塌量的关系,优化了表面预处理和钝化工艺条件。实验效果在GaN HEMT电特性上的改善明显。结果表明,采用折射率为2.1~2.2的SiN钝化膜,饱和电流密度增加到1100mA/mm,电流崩塌量小于10%,肖特基接触反向偏压为-20V时泄漏电流达10-5A数量级。
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半导体技术
2009年05期
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