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无线电电子学
肖特基器件用重掺As衬底上外延层过渡区控制
掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求。讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及赶气等因素。通过一系列实验,找到了合理的生长条件,得到了完美的过渡区,解决了器件反向电压和正向压降之间的矛盾。在反向电压一致的条件下,正向压降平均降低了200mV,产品整体成品率提高了两个百分点以上。研究结果已成功应用于大规模生产中。
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半导体技术
2009年05期
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