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无线电电子学
GaN-LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善
氧化铟锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜,用wIn2O3∶wSnO2=0.95∶0.05的ITO锭做靶材,然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圆形(电极直径)的尺寸并比较侧蚀量的大小,发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好。
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半导体技术
2009年05期
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