一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计-半导体技术2004年01期-手机知网

一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计

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对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6μm标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器。在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为150MHz, S11达到-38dB,消耗的电流为5mA。

机　构:

湖南大学应用物理系,湖南大学应用物理系,湖南大学应用物理系,湖南大学应用物理系湖南长沙410082 ,湖南长沙410082 ,湖南长沙410082 ,湖南长沙410082;

领　域:

无线电电子学；

关键词:

低噪声放大器；噪声优化；射频集成电路； CMOS；