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物理学
808nm大功率准连续LD阵列
 采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析。实验结果表明,器件峰值波长为807.6nm,光谱半宽为3nm,工作电流为98.7A时,输出功率达到1000W(10个Bar,占空比为2%)。
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半导体光电
2004年06期

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