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无线电电子学
低翘曲度ITO透明导电膜玻璃的工艺研究
 研究了不同厚度ITO膜的大尺寸超薄导电玻璃的翘曲度,ITO膜形成期间基片温度对ITO膜层晶体化程度的影响及不同基片温度下形成的ITO膜层在不同的退火条件下的退火前、后的电阻率和膜压应力。实验发现,ITO膜层的很高的压应力是导致导电膜玻璃翘曲的直接原因;采用室温沉积非晶ITO膜,然后经高温热退火可获得低膜压应力多晶相ITO膜。基于实验结论,提出了一种适合批量生产的低翘曲度ITO膜导电玻璃的制备工艺。
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半导体光电
2004年05期

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