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无线电电子学
Si/Si直接键合界面的FTIR和XPS研究
 通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合。采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在。X射线光电子谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为单质Si和SiOx混合网络,且随着退火温度的升高,界面层Si-Si直接成键的密度也越高。
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半导体光电
2004年05期

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