C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长
北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室 北京100022
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李建军 韩军 邓军
以CCl4为掺杂源,利用EMCORED125MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层。通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺CGaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等。
机 构:
北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室,北京工业大学北京光电子技术实验室 北京100022
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