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无线电电子学
衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究
薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50~200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。
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安徽大学学报(自然科学版)
2004年03期
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