摘要
Abstract
第一章 绪论 1.1 硅基应变技术背景 1.2 国内外研究现状 1.2.1 硅基应变MOSFET 研究现状 1.2.2 MOSFET 热载流子效应研究现状 1.3 研究内容及论文结构
第二章 应变SiGe PMOSFET 的基本物理及电学特性 2.1 应变SiGe 材料的基本物理特性 2.1.1 应变SiGe 的形成机制及特点 2.1.2 应变SiGe 本征载流子浓度和有效态密度 2.2 器件结构及电学特性 2.2.1 应变SiGe PMOSFET 的迁移率 2.2.2 应变SiGe PMOSFET 的阈值电压模型 2.3 M OS 器件热载流子效应 2.3.1 MOSFET 热载流子效应及其产生机制 2.3.2 不同栅偏置应力下的热载流子效应
第三章 应变SiGe PMOSFET 制造工艺设计与优化 3.1 器件结构优化 3.1.1 硅帽层厚度对器件性能的影响 3.1.2 应变SiGe 中Ge 组分对器件性能的影响 3.1.3 器件结构对热载流子效应的影响 3.1.4 器件结构优化结果 3.2 工艺优化 3.2.1 PMOSFET 工艺流程 3.2.2 低温硅工艺 3.2.3 二氧化硅淀积工艺 3.3 器件制作工艺及测试 3.3.1 器件制作工艺 3.3.2 器件的测试
第四章 热载流子效应研究 4.1 热载流子测试技术 4.2 应变SiGe PMOSFET 栅电流模型 4.2.1 栅电流的形成机制 4.2.2 栅电流模型的建立 4.2.3 栅电流模型的仿真 4.3 应变SiGe PMOSFET 的衬底电流 4.3.1 衬底电流的形成 4.3.2 衬底电流模型的建立 4.3.3 衬底电流模型的仿真与分析 4.4 LDD 结构的热载流子效应研究 4.4.1 LDD 掺杂浓度 4.4.2 LDD 掺杂深度 4.5 降低热载流子效应的措施
第五章 应变SiGe PMOSFET 阈值电压漂移特性 5.1 热载流子效应诱生器件损伤机制 5.1.1 器件破键电流引起的界面态产生机制 5.1.2 界面态引起器件电学特性退化机制 5.2 应变SiGe PMOSFET 阈值电压漂移模型 5.2.1 电压漂移模型建立 5.2.2 电压漂移模型仿真 5.3 验证方案设计 5.3.1 器件选取 5.3.2 验证方案设计 5.3.3 验证平台的设计 5.4 测试结果及分析
第六章 总结与展望
致谢
参考文献