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无线电电子学
PMOSFET's热载流子可靠性及其寿命评估方法研究
热载流子效应是影响MOS器件与电路可靠性的主要因素。由于通常情况下 NMOS器件的热载流子退化总是比PMOS的严重,所以PMOS热载流子退化的研 究一直未受重视。但是随着器件尺寸的不断缩小,PMOS器件的热载流子退化变 得越来越严重,也成为CMOS电路退化以至失效的重要因素,所以很有必要对 PMOS器件的热载流子效应进行深入研究。 本文首先研究了含盖整个线性区和饱和区的各种器件静态参数随应力时间的 退化规律,井得到了PMOS器件热载流子损伤生长的基本规律。 重点研究了退化PMOS器件的高场退火效应和氧化层陷阱电子的退陷阱机 制。研究结果表明,负栅压退火的效果要比正栅压退火的效果好得多,这不仅表 现在经过负栅压退火以后器件退化会有更大的恢复,而且经过负栅压退火以后器 件的抗热载流子性能也会得到很大的提高。 深入研究了热载流子退化过程中栅电流和衬底电流的退化规律,并建立了一 个准确的栅电流退化解析模型。在此基础上,重点研究了用栅注入电荷总量作为 PMOS器件参数退化监控量来预测器件寿命的新方法,给出了一个新的能够准确 表征器件参数退化的热载流于退化监控量,并建立了新的器件参数退化的统一模 型,并用于器件参数退化和器件寿命的评估。
硕士论文
《西安电子科技大学》 2000年硕士论文
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