用MEMS技术设计并制作了Ku波段单片振荡器和制作在砷化镓衬底上的Ku波段辐射天线。其中单片振荡器在18.29GHz输出功率达9.17dBm;Ku波段MEMS辐射天线在18.835GHz附近驻波<1.5,带宽180MHz,垂直极化增益为-7.5dB;同时制作的单片MEMS振荡辐射天线将振荡器与微型天线制作在一个砷化镓衬底上,芯片面积仅1.5×3.0 mm~2。