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材料科学
Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的LACBED研究
<正>Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数, 来调整应变层超晶格的能带结构,进而改变材料的发光特性。过去,很多人试图用透射电镜测量应变层超晶格的应变。但是,由于样品非常薄,必须考虑减薄样品引起的弹性弛豫。Gibson 和 Treacy(1984)利用傅立叶模型说明应变层超晶格的弹性弛豫和样品厚度与应变调制周期之比有关。
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第八次全国电子显微学会议论文摘要集(Ⅱ)
1994年
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