用 X 射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的 CdTe/Cd_(0．959)Zn_(0．041)Te(112)B 异质结的倾斜角为0．2185°,而且朝[1~-1~-1]晶体学方向倾斜。为了获得最佳倾斜角的值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值△θ和绕样品表面法线旋转的角度Φ之间的准正弦函数,为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了 MBE 法生长的 Hg_(0．535)Cd_(0．465)Te/CdTe/GaAs(1~-12)B 多层异质结的横截面薄膜．CaTe/GaAs 异质结的 HRTEM 明场象表明 CdTe(1~-12)缓冲层相对于 GaAs(1~-12)衬底朝[1~-11~-]方向倾斜约3°,并且在 Hg_(0．535)Cd_(0．465)Te/CdTe 异质结,Hg_(0．535)Cd_(0．465)Te(1~-12)外延膜相对于 CdTe(1~-12)缓冲层在 [11~-1]方向,即[1~-11~-]的反方向倾斜约1°,也分析了Hg_(0．535)Cd_(0．455)Te/CdTe/GaAs 多层膜的倾斜角之间的关系。