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物理学
热释电非致冷焦平面器件BST晶片制备
讨论了在热释电材料 BST 物理性能不理想的情况下,通过材料优选,改善磨抛工艺,制备出边角完整,平行差小于2μm,光洁如镜面的16mm×16mm,厚度25μm 的非致冷焦平面器件 BST 晶片。保证了128×128元焦平面芯片网格化和倒焊互连工艺的顺利实施。
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'99十一省(市)光学学术会议论文集
1999年
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