热释电非致冷焦平面器件BST晶片制备-《'99十一省（市）光学学术会议论文集》（1999）-手机知网

热释电非致冷焦平面器件BST晶片制备

昆明物理研究所 | 张丽华

讨论了在热释电材料 BST 物理性能不理想的情况下,通过材料优选,改善磨抛工艺,制备出边角完整,平行差小于2μm,光洁如镜面的16mm×16mm,厚度25μm 的非致冷焦平面器件 BST 晶片。保证了128×128元焦平面芯片网格化和倒焊互连工艺的顺利实施。

领　域:

物理学；

关键词:

热释电 BST 材料；非致冷焦平面；磨抛工艺；网格化；倒焊互连；