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物理学
氢化非晶氮化硅薄膜光学性质调控及应用
<正>近年来发现含有纳米硅量子点(Si QDs)的氢化非晶氮化硅(a-SiN_x:H)薄膜具有较低的势垒(~2.0 eV)和较强的室温可见发光,是硅基发光器件的良好候选材料:同时a-Si_x:H薄膜已被广泛应用于制备单晶硅和多晶硅太阳电池的减反和钝化材料。但到目前为止,尽管已有多种机制或模型被提出,α-SiN_x:H薄膜的室温可见发光机制一直存在争议,其钝化机理尚未完全清楚。本报告将包含三部分的研究内容:
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第十五届全国光散射学术会议论文摘要集
2009年

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