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物理学
GaNAs新型光电子材料E+能级的共振拉曼散射和光致发光研究
<正>近十多年来,由于可与高度发展的 GaAs 基微电子器件进行良好的单片集成以及其独特的光电特性和在光纤通讯以及太阳能电池等领域的巨大应用前景,掺氮的Ⅲ-Ⅴ族 Ga(In)NAs 材料受到了全世界的重视。由于 N 的掺入,Ga(In)NAs 半导体与传统半导体材料相比具有完全不同的能带结构和光学性质,例如 Ga(In)NAs 在带隙以上具有一个所谓的 E+能级。如何理解 E+能级的物理根源也就成为研究和理解 Ga(In)NAs 材料物理性质的核心问题之一。
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第十四届全国光散射学术会议论文摘要集
2007年

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