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无线电电子学
用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式。对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比。结果表明两者相差仅有5%,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计。
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2005年“数字安徽”博士科技论坛论文集
2005年
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