手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
手机知网首页
文献检索
期刊
工具书
图书
我的知网
充值中心
用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
安徽大学电子科学与技术学院东南大学国家ASIC工程中心
|
孟坚
高珊
陈军宁
分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式。对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比。结果表明两者相差仅有5%,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计。
领 域:
无线电电子学
;
关键词:
阱区
;
双扩散MOS晶体管
;
导通电阻
;
解析模型
;
0
53
下载PDF版
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
2005年“数字安徽”博士科技论坛论文集
2005年
精选好书
查看更多好书
相似文献
期刊
硕士
博士
会议
报纸
参考文献
引证文献
共引文献
同被引文献
二级参考文献
二级引证文献
图书推荐
相关工具书
搜 索