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用分子束外延膜制造场效应晶体管

吴铭

   用气相和液相外延在衬底上生长外延层的两种方法,不久就会被分子束方法所超过。在日本三菱电气公司的发展下,该法已经生产了一种在8千兆赫下工作的低噪声砷化镓金属半导体场效应晶体管(MES FET)。这种不同规格的MES FET正在逐步取代用于小信号放大,频率发生和功率放大的硅器件、Impatt二级管和甘氏二级管。 到目前为止,这些外延片已在最佳偏压和2.5分贝的噪声指数下获得8.4分贝的增益,比用气相外……   
[关键词]:场效应晶体管;分子束外延;外延层
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《稀有金属1979年01期