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低功耗CMOS带隙基准电压源的设计

曾健平;文剑;晏敏

  设计了低功耗、高电源抑制比CMOS带隙基准电压发生器电路。其设计特点是采用了共源共栅电流镜 ,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路 ;使用CSMC标准 06 μm双层多晶硅n -wellCMOS工艺混频信号模型 ,利用Cadence的Spectre工具对其仿真 ,结果显示当温度和电源电压变化范围为 - 5 0℃~ 15 0℃和45V~ 55V时输出基准电压变化小于 1 6mV和 013mV ;低频电源抑制比达到 75dB。电路在 5V电源电压下工作电流小于 10 μA。该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中……   
[关键词]:低功耗;高电源抑制比;带隙基准;共源共栅电流镜
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《宇航计测技术2004年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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