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高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究

王伟宾;霍伟荣;赵远远;王姝娅;束平;张国俊

  为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。……   
[关键词]:高K薄膜;锆钛酸铅(PZT)薄膜;湿法刻蚀;LDMOS;刻蚀速率
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《压电与声光2012年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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