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pMOS金属栅极材料的研究进展

杨智超;黄安平;肖志松

  随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.……   
[关键词]:pMOS;金属栅极;高k栅介质;功函数;界面偶极子
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《物理2010年02期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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