［Fe／Cr］多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

　　用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］,［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ,Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４６％（４２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代,振荡消失,磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化,认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少,随之极化效应也变弱,导致振荡消失,磁电阻大为降低……