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[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

胡永健;彭初兵;方瑞宜;李文君;戴道生

  用真空蒸镀方法制备了[Fe/Cr],[Fe/Cr/Si]和[Fe/Si]多层膜.研究了Cr层、Si层和Cr+Si层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响.Fe层厚为2nm,Cr层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡.磁电阻值为146%(42K).在Cr层中加入一半Si层或全部由Si层替代,振荡消失,磁电阻减小到千分之几.根据掺Si层后多层膜的电阻率变化,认为Si加入使非磁层中自由电子数减少,随之极化效应也变弱,导致振荡消失,磁电阻大为降低……   
[关键词]:层间耦合;磁电阻效应;多层膜;中介层
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《物理学报1996年10期