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Si中D_(3d)对称性态密度分布和缺陷对电子结构

顾一鸣;任尚元

  本文考虑了晶体中总的电子态密度在低对称性下用点群不可约表示基函数分解的问题,并给出了Si中用D_(3d)群不可约表示基函数分解最近邻两原子总态密度的计算结果。结合在位势近似Koster-Slater格林函数方法,文中将计算结果用于Si中双空位和硫属元素杂质对(S_2~0,Se_2~0和Te_2~0)缺陷态电子结构的讨论。讨论得到的结果是:与点缺陷和缺陷对的深缺陷态对称性相匹配的部分态密度的分布是相似的;在态密度对缺陷能级的驱赶作用下,S_2~0等的A~s能级在A~s能级之上,双空位的E_g能级在E_u能级之上,这种情况与通常双原子分子成反键能级位置完全相反;所讨论的缺陷对的波函数在Bloch空间的分布情况与对应的点缺陷类似。……   
[关键词]:态密度;缺陷能级;电子结构
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《物理学报1987年06期
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