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立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ) 能级和简单的物理模型

茅德强;任尚元;李名复

  利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。……   
[关键词]:双空位;电子结构;物理模型
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《物理学报1986年06期
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