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负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

王万录;廖克俊;方亮;王必本;冯斌

  本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程。在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2。研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果。……   
[关键词]:热灯丝CVD;金刚石薄膜;成电核子发射
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《人工晶体学报1999年01期