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片状立方氮化硼合成及其导电特性研究

张铁臣;李明光;郭伟力;刘建亭;邹广田

  立方氮化硼是典型的ⅢⅤ族氮化物。它不仅具有很高的硬度,是加工铁族及其合金的最有效的工具材料,而且它具有很宽的直接能隙,特别适合作高温半导体器件和短波长固体器件而备受青睐。1961年Wentorf在合成体系中加入重量为0.01%~1%的Be(以金属或盐类形式)在高压下合成出p型材料,室温下晶体的电阻率为10Ω·cm。估算出其激活能为0.19~0.23eV。由于晶体较小及生长不均匀,未能测定Hal效应及吸收光谱。与此同时,Wentorf又得到了具有n型特性的立方氮化硼半导体,典型值为10~10Ω·cm。1986年,Mishima等人合成出大块立方氮化硼单晶(3mm),选择不同的掺杂杂质(Si、Be等),得到单晶半导体。在此基础上作成的p-n结,p-n结作成了光电二极管(LED)。在正向偏压下,二极管能发出肉眼可见的蓝光。对立方氮化硼LED的光谱测量表明,其最短的可见波长为~215nm(~518eV),该值和ms型ALN管及所知道的PN型二极管相比是最短的。在上述研究中,由于晶体形状的限制必须对小晶体切片,这是十分困难的。本实验为克服cBN形状给测量带来的困难,从合成片状cBN晶体入手,然后进行掺杂和电学测量。1?……   
[关键词]:立方氮化硼;高温高压;导电性
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《人工晶体学报1997年Z1期