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深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计

陈曦;庄奕琪;杜磊;胡净

   热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁。其中,热载流子效应是最主要的失效机理之一。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研究,提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。……   
[关键词]:热载流子效应;可靠性设计;深亚微米器件;CMOS集成电路
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《微电子学2003年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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