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离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

吴春瑜;张久惠

  本文分析了非均匀掺杂衬底MOS结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应,采用较精确的产生区模型,提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底MOS结构电容少子产生寿命的方法,本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布,因而简单实用。……   
[关键词]:非均匀掺杂衬底;MOS电容;少子产生寿命。
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《辽宁大学学报(自然科学版)1995年01期