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无线电电子学
Journal of Semiconductors
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2006年第01期
1.
在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导(英文)
2.
Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强型光电三极管的研制(英文)
3.
用于无线PA的高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的设计和制作(英文)
4.
An超宽频带VHF频段CMOS LC VCO(英文)
5.
1212Gb/s 0.25μm CMOS低功耗1∶4分接器(英文)
6.
提取带权关键面积的新算法(英文)
7.
聚合物电致发光器件中用类金刚石碳膜增强电子注入(英文)
8.
双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟(英文)
9.
ΔΣ调制器在分数分频频率综合器中的分析与设计(英文)
10.
12路并行30Gb/s 0.18μm CMOS光接收前端放大器(英文)
11.
两相邻耦合互连的Elmore延时估计(英文)
12.
GaAs/AlGaAs超晶格微带带宽的计算
13.
压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响
14.
快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响
15.
快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响
16.
H_2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x的影响
17.
退火温度对嵌入Si中的β-FeSi_2颗粒发光的影响
18.
氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响
19.
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜
20.
ZnO单晶薄膜光电响应特性
21.
抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究
22.
激光二极管正向电特性的精确检测
23.
重掺杂能带结构的变化对突变HBT电流影响
24.
部分局域电荷槽SOI高压器件新结构
25.
大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应
26.
新型全数字三相SPWM信号产生芯片的设计与实现
27.
一种用于开关电源启动电路的新型自偏置高压器件结构
28.
适用于1000Base-T以太网的低抖动低功耗频率综合器
29.
扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构
30.
基于MEMS技术的红外成像焦平面阵列
31.
芯片粘接工艺对MEMS性能影响的单元库法模型
32.
负载刚度对电热微执行器输出性能的影响分析
33.
基于硅氧化层的嵌入式传输线制造
34.
SiC肖特基接触的直接隧穿效应
35.
ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤
36.
Bubble结构牺牲层腐蚀的一种改进模型
期 号:
12
11
10
09
08
07
06
05
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02
01
出版年:
2021
2020
2019
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