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无线电电子学
Journal of Semiconductors
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2005年第11期
1.
投稿须知
2.
f_(max)为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(英文)
3.
基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文)
4.
CMOS RFIC平面螺旋电感的集总等效电路(英文)
5.
一种基于编码的低硬件开销的测试数据压缩方法(英文)
6.
厚度对Si衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响(英文)
7.
用MOCVD在偏(100)GaAs基片上生长空间规则排列的1.3μm InAs量子点(英文)
8.
0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性(英文)
9.
一种具有自校准功能的CMOS分数数字锁相环(英文)
10.
空间有序的量子点超晶格的红外吸收
11.
小振幅近似与形变超晶格系统的动力学稳定性
12.
Hg_(1-x)Cd_xTe外延薄膜表面对红外透射光谱的影响
13.
锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响
14.
UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用
15.
多晶硅薄膜的高温压阻效应
16.
量子点的原子力显微镜测试结果分析:数学形态学的实现
17.
水浴法制备形貌可控的一维ZnO纳米和微米棒
18.
渠道火花烧蚀法制备In_2O_3∶Mo透明导电薄膜
19.
超高真空化学气相生长用于应变硅的高质量SiGe缓冲层
20.
GaN HFET沟道热电子隧穿电流崩塌模型
21.
具有p型埋层PSOI结构的耐压分析
22.
屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理
23.
阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型
24.
MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型
25.
深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法
26.
Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT建模
27.
一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下):电路设计和实现
28.
Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO
29.
EIS型半导体生化传感器EI界面势的理论模拟
30.
一种新型的CMOS温度传感器
31.
硅基CoZrO铁氧体磁膜结构RF集成微电感
32.
大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器
33.
Si基热光可调谐窄带平顶滤波器
34.
硅基M×N型微环阵列谐振滤波器的理论分析
35.
一种57.6mW,10位,50MS/s流水线操作CMOS A/D转换器
36.
位置数为2的多模干涉耦合器相位关系分析
37.
利用正多项式响应曲面模型实现模拟电路参数自动生成
38.
一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源
39.
光探测器TO封装的高频分析与改进
40.
抛光液中缓蚀剂对铜硅片的影响
41.
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管
期 号:
12
11
10
09
08
07
06
05
04
03
02
01
出版年:
2020
2019
2018
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