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无线电电子学
Journal of Semiconductors
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2005年第05期
1.
宽带可调谐取样光栅DBR激光器(英文)
2.
一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术(英文)
3.
SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)
4.
精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器(英文)
5.
单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现(英文)
6.
一种新的射频CMOS混频器结构(英文)
7.
薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs(英文)
8.
一种适用于通讯系统的异步加-选择-比较器(英文)
9.
LUT尺寸对FPGA面积和延迟影响的理论分析(英文)
10.
一种利用PDMS工艺解决SU-8去胶问题的方法(英文)
11.
液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对红外透射光谱的影响
12.
高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制
13.
色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响
14.
SnO_2:Sb薄膜的制备和光致发光性质
15.
硅纳米晶的制备和电荷储存特性
16.
Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线
17.
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜的研究
18.
利用p型(100)硅片制备二维光子晶体的工艺
19.
(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能
20.
VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池
21.
渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用
22.
p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量
23.
微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析
24.
径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟
25.
基于C-V,I-V,Q-V特性的铁电电容新模型
26.
基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT
27.
一种简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计
28.
恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性
29.
pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应
30.
双极晶体管ΔV_(be)瞬态热阻测试法精度修正
31.
三沟道体电荷耦合器件在近红外光区光电特性的数值模拟
32.
50/100GHz AWG型光学梳状滤波器的设计与制备
33.
850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性
34.
MEMS多层膜残余应力全场光学在线测试
35.
焊料键合实现MEMS真空封装的模拟
36.
一种改进的旋转式微机械结构
37.
2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器
38.
一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器
39.
考虑缺陷形状分布的IC成品率模型
40.
用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺
41.
厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量
期 号:
12
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10
09
08
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02
01
出版年:
2020
2019
2018
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