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无线电电子学
Journal of Semiconductors
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2003年第12期
1.
介电常数对比和填充率对光子晶体中光子禁带和局域态的调节(英文)
2.
用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性(英文)
3.
900MHz CMOS锁相环/频率综合器(英文)
4.
5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器(英文)
5.
V_g=V_d/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)
6.
新型薄膜SOI高压MOSFET的研制(英文)
7.
一种新的光学临近校正方法(英文)
8.
注C~+外延硅的光致发光特性
9.
Mn~+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性
10.
p型GaN材料的表面物理特性
11.
面向对注氢硅片中微结构的影响
12.
双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长
13.
相位误差对AWG波分复用器非相邻通道串扰影响的分析
14.
基于矢量光场的VCSEL数值模型
15.
大气状态下AFM针尖诱导氧化加工Ti膜的机理分析
16.
一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法
17.
热光Si共振腔型可调谐滤波器
18.
MOS环振式数字加速度传感器
19.
12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS电流舵D/A转换器实现
20.
标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用
21.
影响全息光刻图形质量的因素
22.
一个集成电路工艺诊断实例
期 号:
12
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01
出版年:
2021
2020
2019
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