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PLT15薄膜热释电红外传感器的研制

曾亦可;刘梅冬;绕韫华

  用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)结构衬底上沉积了高度C轴取向La改性的PbTiO3(PLT15)薄膜.研究了PLT15薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化.利用PLT15薄膜制备了热释电红外传感器,薄膜厚度是2μm,真空蒸发的Ni-Cr电极面积为1.2mm×1.0mm,敏感元下的Si(100)基片用热KOH和EPW进行刻蚀.用所设计的热释电系数测试系统对PLT15薄膜样品进行了测试,研究了其热释电特性.测试结果表明,PLT15薄膜样品的热释电电流ip平均为2.1×10-11A,而对应的热释电系数p为2.52×10-8C·(cm2·K)-1.这类薄膜很适合制备红外传感器……   
[关键词]:射频磁控溅射;薄膜;热释电性;红外传感器
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《华中理工大学学报1999年06期
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