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Ta_2O_5对掺杂的TiO_2压敏陶瓷电性能的影响

孟凡明;孙兆奇

  基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度φb的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响。结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律,掺入摩尔分数为0.1%的Ta2O5样品显示出最低的压敏电压和最高的视在介电常数,并从理论上进行了分析。综合考虑材料的各种电性能参数,尤其是压敏电压低压化的需求,Ta2O5掺杂摩尔分数在0.1%左右为宜。……   
[关键词]:TiO2压敏陶瓷;压敏电压;非线性系数;电容量
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《合肥工业大学学报(自然科学版)2005年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)