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热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响

赵策洲;董建荣;张德胜;史保华

  讨论了热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C─V特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的tn物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。……   
[关键词]:热载流子;MOS
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《固体电子学研究与进展1994年02期