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动态应力下MOS器件热载流子效应研究

刘红侠;郝跃;孙志

  研究了 MOS器件中的热载流子效应 ,在分析了静态应力下 MOSFET寿命模型的基础上 ,提出了动态应力条件下 MOSFET的寿命模型。此外 ,还研究了沟道热载流子的产生和注入与器件偏置条件的关系 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响。通过对这些失效因素的研究和通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化……   
[关键词]:金属-氧化物-半导体器件;热载流子效应;动态应力;退化
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《固体电子学研究与进展2001年04期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)