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部分离化束法的Si—Si同质结外延

杨光荣;王向明;秦复光

   一、前言 Si外延方法是很多的,但如何实现低温外延仍然是当前尚待解决的问题之一。最近发展起来的离子束外延是解决该问题的一种途径。部分离化束外延是一种形式的离子束外延,其特点是具有一定数量和能量的离子参与了薄膜的外延过程。引入离子的目的是为了使外延材料的质点通过电场的加速而被赋与远高于热动能的附加能量,并且因为材料质点以离子形式存在,其化学活性也会相应地大大提高,从而能有效地影响薄膜的淀积过程,其结果就是降低了薄膜外延生长的温度。……   
[关键词]:生长温度;外延薄膜;离子束外延;同质结
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《仪表材料1984年02期