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薄膜全耗尽CMOS/SOI──下一代超高速Si IC主流工艺

张兴;王阳元

  本文较为详细地分析了薄膜全耗尽CMOS/SOI技术的优势和国内外TFCMOS/SOI器件和电路的发展状况,讨论了SOI技术今后发展的方向,得出了全耗尽CMOS/SOI技术将成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。……   
[关键词]:CMOS/SOI;全耗尽;SIMOX;BESOI
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电子学报1995年10期