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VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

马永良;黄英

  介绍了大规模集成电路中两种CVD二氧化硅膜的淀积,并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出TEOS淀积方式,是今后集成电路中SiO2淀积的主流工艺……   
[关键词]:CVD;TEOS;二氧化硅
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电子器件1998年02期