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超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究(英文)

钟兴华;徐秋霞

  实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.……   
[关键词]:击穿;Si3N4/SiO2(N/O)叠层;可靠性;应力诱生漏电流(SILC);TDDB特性
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电子器件2007年02期
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