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基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法

王文兵

  介绍了一种基于检测功率MOSFET导通压降实现短路保护的方法。该方法利用功率MOSFET自身导通电阻产生的导通压降,来得到保护控制信号,实现对功率MOSFET的保护。经实验及工程应用验证,该方法具有保护动作速度快,电路结构简单、可靠的特点。……   
[关键词]:场效应晶体管;短路保护/导通压降
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电力电子技术2009年08期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)