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多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

孙家讹;陈军宁;柯导明;代月花;徐超

  根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。……   
[关键词]:多晶硅;量子效应;MOSFET;阈值电压
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电子科技大学学报2006年06期