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Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

杨啸林;阮成礼;葛世慧;席力

  利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1?x)金属?绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5μ?·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。……   
[关键词]:颗粒膜;磁性;电阻率;霍尔效应
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电子科技大学学报2006年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)