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碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

田时开;江天府;杨兴华;曾葆青

  采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3μA提高到34μA。……   
[关键词]:碳纳米管;场发射;化学气相沉积法;老炼
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电子科技大学学报2006年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)