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旋转对流下铜在微沟道中的电沉积

孙建军;谢步高;阴文辉;陈国南

   将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2~3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.……   
[关键词]:电沉积;;旋转电极;微沟道;芯片;超等厚沉积
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《电化学2004年02期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)