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  随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO_2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求。因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点。介绍了不断变薄的SiO_2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题。……   
[关键词]:微电子材料;栅介质;等效SiO_2;厚度;薄膜
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《材料导报2008年S3期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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