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90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理(英文)

曹艳荣;马晓华;郝跃;于磊;朱志炜;陈海峰

  对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模型.时间模型及温度模型与过去研究所提出的模型相似,但是关键参数有所改变.栅压应力模型遵循双对数关系,这与传统的单对数栅压应力模型不同.将较低的栅压应力也考虑在内时,双对数栅压应力模型较单对数栅压应力模型更为准确.……   
[关键词]:NBTI;90nm;pMOSFETs;模型
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2007年05期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)