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  测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGeHBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.……   
[关键词]:SiGe HBT;辐射效应;反应堆
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2007年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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