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阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型

李琦;张波;李肇基

  提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURFLDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参数的关系,其解析与数值结果吻合较好.结果表明:在导通电阻相近情况下,阶梯掺杂漂移区LDMOS较均匀漂移区的击穿电压提高约20%,改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.……   
[关键词]:薄漂移区;阶梯掺杂;击穿电压;模型
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2005年11期
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